Ζητήστε ένα απόσπασμα |
Αρχική Σελίδα Προϊόνταγκοφρέτα ημιαγωγών

SIC ημιαγωγών μικρή ισχυρή μεγάλη αποδοτικότητα ταχύτητας γκοφρετών γρήγορη οικονομικώς αποδοτική

Όλα τα Προϊόντα

Κρύσταλλο Σπινθηριστή

(66)

Κρύσταλλος σπινθηρισμού

(58)

Ανιχνευτής Scintillator

(47)

Σειρά Scintillator

(34)

Υπόστρωμα ενιαίου κρυστάλλου

(33)

Πιεζοηλεκτρικό κρύσταλλο

(2)

Οπτικό παράθυρο γυαλιού

(6)

γκοφρέτα ημιαγωγών

(19)

Πολυ αναλυτής καναλιών

(2)

Τμήματα ανιχνευτών ακτίνας X

(6)

Οπτικό κρύσταλλο Acousto

(6)

Γκοφρέτα κρυστάλλου σαπφείρου

(4)
Καλύτερα προϊόντα
Υψηλό υψηλό δικτυωτό πλέγμα λειότητας που ταιριάζει με την γκοφρέτα κρυστάλλου ημιαγωγών κρυστάλλου MCT CZT

Υψηλό υψηλό δικτυωτό πλέγμα λειότητας που ταιριάζει με την γκοφρέτα κρυστάλλου ημιαγωγών κρυστάλλου MCT CZT

Υψηλής ενέργειας γκοφρέτα ημιαγωγών CdTe υποστρωμάτων CdTe ψηφίσματος

Υψηλής ενέργειας γκοφρέτα ημιαγωγών CdTe υποστρωμάτων CdTe ψηφίσματος

Ενεργειακό φάσμα και ασφάλεια των τροφίμων που ανιχνεύουν τον έλεγχο γκοφρετών CZT ημιαγωγών

Ενεργειακό φάσμα και ασφάλεια των τροφίμων που ανιχνεύουν τον έλεγχο γκοφρετών CZT ημιαγωγών

Πιστοποίηση
Κίνα Kinheng Crystal Material (Shanghai) Co., Ltd. Πιστοποιήσεις
Είμαι Online Chat Now

SIC ημιαγωγών μικρή ισχυρή μεγάλη αποδοτικότητα ταχύτητας γκοφρετών γρήγορη οικονομικώς αποδοτική

SIC ημιαγωγών μικρή ισχυρή μεγάλη αποδοτικότητα ταχύτητας γκοφρετών γρήγορη οικονομικώς αποδοτική
SIC ημιαγωγών μικρή ισχυρή μεγάλη αποδοτικότητα ταχύτητας γκοφρετών γρήγορη οικονομικώς αποδοτική

Μεγάλες Εικόνας :  SIC ημιαγωγών μικρή ισχυρή μεγάλη αποδοτικότητα ταχύτητας γκοφρετών γρήγορη οικονομικώς αποδοτική

Λεπτομέρειες:
Τόπος καταγωγής: Κίνα
Μάρκα: Kinheng
Πιστοποίηση: ISO
Πληρωμής & Αποστολής Όροι:
Ποσότητα παραγγελίας min: 1pc
Τιμή: Negotiable
Συσκευασία λεπτομέρειες: κιβώτιο αφρού
Χρόνος παράδοσης: 4-6 εβδομάδες
Όροι πληρωμής: T/T, Paypal
Δυνατότητα προσφοράς: 10000pcs/year
Επικοινωνία

SIC ημιαγωγών μικρή ισχυρή μεγάλη αποδοτικότητα ταχύτητας γκοφρετών γρήγορη οικονομικώς αποδοτική

περιγραφή
Όνομα προϊόντων: Υπόστρωμα SIC, γκοφρέτα ημιαγωγών SIC Πλήρες όνομα: Υπόστρωμα κρυστάλλου καρβιδίου του πυριτίου
χημικός τύπος: SIC Βαθμός 1: Βαθμός παραγωγής
Βαθμός 2: Ερευνητικός βαθμός Βαθμός 3: Πλαστός βαθμός
Μόλυνση: Κανένας Μέγεθος: 10 χιλ. Χ 10 χιλ. (+/- 1mm)
Υψηλό φως:

Γκοφρέτα 10 χιλ. Χ 10 χιλ. ημιαγωγών

,

Γκοφρέτα 10 χιλ. Χ 10 χιλ. SIC

,

Γκοφρέτα ημιαγωγών SIC

Άριστη θερμική μηχανική γκοφρέτα ημιαγωγών υποστρωμάτων SIC ιδιοτήτων SIC

 

Οι γκοφρέτες καρβιδίου του πυριτίου (SIC) είναι όλο και περισσότερο συσκευές ημιαγωγών που εξουσιάστηκαν μιά φορά από το πυρίτιο. Οι ερευνητές έχουν διαπιστώσει ότι τα πλεονεκτήματα συσκευών ημιαγωγών SIC πέρα από τις βασισμένες συσκευές γκοφρετών πυριτίου περιλαμβάνουν:

  • Γρηγορότερη ταχύτητα
  • Μικρότερος ισχυρότερος (το καρβίδιο του πυριτίου είναι ένα από τα ισχυρότερα υλικά στη γη.)
  • Μεγαλύτερη αποδοτικότητα στον κανονικό και δυσμενή όρο
  • Οικονομικώς αποδοτικός σε πολλές εφαρμογές.

Ιδιότητες:

 

Στοιχείο 2 ν-τύπος ίντσας 4H
Διάμετρος 2inch (50.8mm)
Πάχος 350+/-25um
Προσανατολισμός από τον άξονα 4.0˚ προς <1120> ± 0.5˚
Αρχικός επίπεδος προσανατολισμός <1-100> ± 5°
Δευτεροβάθμιο επίπεδο
Προσανατολισμός		 90.0˚ CW από αρχικό επίπεδο ± 5.0˚, πρόσωπο Si - επάνω
Αρχικό επίπεδο μήκος 16 ± 2,0
Δευτεροβάθμιο επίπεδο μήκος 8 ± 2,0
Βαθμός Βαθμός παραγωγής (p) Ερευνητικός βαθμός (ρ) Πλαστός βαθμός (δ)
Ειδική αντίσταση 0.015~0.028 Ω·εκατ. < 0=""> < 0="">
Πυκνότητα Micropipe ≤ 1 micropipes/εκατ. ² ≤ 1 0micropipes/εκατ. ² ≤ 30 micropipes/εκατ. ²
Τραχύτητα επιφάνειας RA προσώπου CMP Si <0> ΑΠΡΟΣΔΙΟΡΙΣΤΑ, χρησιμοποιήσιμα περιοχή > 75%
TTV < 8="" um=""> < 10um=""> < 15="" um="">
Τόξο <> <> <>
Στρέβλωση < 15="" um=""> < 20="" um=""> < 25="" um="">
Ρωγμές Κανένας Συσσωρευτικό μήκος ≤ 3 χιλ.
στην άκρη		 Συσσωρευτικό μήκος ≤10mm,
ενιαίος
μήκος ≤ 2mm
Γρατσουνιές ≤ 3 γρατσουνιές, συσσωρευτικές
μήκος < 1=""> 		≤ 5 γρατσουνιές, συσσωρευτικές
μήκος < 2=""> 		≤ 10 γρατσουνιές, συσσωρευτικές
μήκος < 5="">
Πιάτα δεκαεξαδικού μέγιστα 6 πιάτα,
<100um> 		μέγιστα 12 πιάτα,
<300um> 		ΑΠΡΟΣΔΙΟΡΙΣΤΑ, χρησιμοποιήσιμα περιοχή > 75%
Περιοχές Polytype Κανένας Συσσωρευτική περιοχή ≤ 5% Συσσωρευτική περιοχή ≤ 10%
Μόλυνση Κανένας

 

Πλεονέκτημα:

1.High ομαλότητα
2.High ταίριασμα δικτυωτού πλέγματος (MCT)
3.Low πυκνότητα εξάρθρωσης
4.High υπέρυθρη μετάδοση

 

Πυροβολισμοί προϊόντων:

 

SIC ημιαγωγών μικρή ισχυρή μεγάλη αποδοτικότητα ταχύτητας γκοφρετών γρήγορη οικονομικώς αποδοτική 0

 

FAQ:

1.Q: Είστε κατασκευαστής εργοστασίων;

Α: Ναι, είμαστε κατασκευαστής με 13 έτη εμπειρίας στη βιομηχανία κρυστάλλου scintillator και παρείχαμε πολλά διάσημα εμπορικά σήματα την καλή ποιότητα και την υπηρεσία.

 

2.Q: Πού είναι η κύρια αγορά σας;

Α: Ευρώπη, Αμερική, Ασία.

 

 

 

 

ετικέτα:

Γκοφρέτα ημιαγωγών CZT,

Gamma-Ray czt γκοφρέτα κρυστάλλου,

Ακτίνα X γκοφρετών ημιαγωγών

Στοιχεία επικοινωνίας
Kinheng Crystal Material (Shanghai) Co., Ltd.

Υπεύθυνος Επικοινωνίας: Ivan. wang

Τηλ.:: 18964119345

Στείλετε το ερώτημά σας απευθείας σε εμάς (0 / 3000)

Άλλα προϊόντα
CZT ημιαγωγών ακτίνας X και Gamma-Ray γκοφρετών οπτική διαμόρφωση λέιζερ ανιχνευτών

CZT ημιαγωγών ακτίνας X και Gamma-Ray γκοφρετών οπτική διαμόρφωση λέιζερ ανιχνευτών

Κρύσταλλο: CdZnTe CZT

Τύπος αγωγιμότητας: Τύπος Π

Προσανατολισμός: (211), (111)

Αντίσταση: >106Ω.Cm
Υψηλό υπέρυθρο GaAs μετάδοσης υπόστρωμα ενιαίου κρυστάλλου υποστρωμάτων

Υψηλό υπέρυθρο GaAs μετάδοσης υπόστρωμα ενιαίου κρυστάλλου υποστρωμάτων

Ναρκωμένη επιλογή: Κανένας, Si, χρώμιο, Φε, ZN

Μεγέθη (χιλ.): 10x10mm

Τραχύτητα επιφάνειας: Τραχύτητα επιφάνειας (RA): <= 5A

Στίλβωση: Ενιαία ή διπλή πλευρά που γυαλίζεται (τα πρότυπα είναι SSP)
Υπέρυθρες ακτίνες γκοφρετών ημιαγωγών της Γερμανίας υποστρωμάτων της Γερμανίας και βιομηχανία ολοκληρωμένου κυκλώματος

Υπέρυθρες ακτίνες γκοφρετών ημιαγωγών της Γερμανίας υποστρωμάτων της Γερμανίας και βιομηχανία ολοκληρωμένου κυκλώματος

Μέθοδος αύξησης: Μέθοδος Czochralski

Κρυσταλλική Δομή: Μ3

Σταθερά κυττάρων μονάδων: a=5.65754 Å

Πυκνότητα (g/cm3): 5,323
Άριστο θερμικό μηχανικό υπόστρωμα γκοφρετών SIC καρβιδίου του πυριτίου ιδιοτήτων

Άριστο θερμικό μηχανικό υπόστρωμα γκοφρετών SIC καρβιδίου του πυριτίου ιδιοτήτων

Στοιχείο: 2 ν-τύπος ίντσας 4H

διάμετρος: 2inch (50.8mm)

Πάχος: 350+/-25um

Προσανατολισμός: από τον άξονα 4.0˚ προς <1120> ± 0.5˚
Pmn-PT υπόστρωμα ενιαίου κρυστάλλου γκοφρετών ημιαγωγών κρυστάλλου

Pmn-PT υπόστρωμα ενιαίου κρυστάλλου γκοφρετών ημιαγωγών κρυστάλλου

Δομή: R3m, Rhombohedral

δικτυωτό πλέγμα: a0 ~ 4,024Å

Σημείο τήξης (℃): 1280

Πυκνότητα (g/cm3): 8.1
περίπου

Κρύσταλλο Σπινθηριστή

Βρωμίδιο Scintillator CeBr3 δημήτριου ελέγχου περιβάλλοντος ανάλυσης ενεργειακού φάσματος

Υψηλό ελαφρύ κρύσταλλο υγροσκοπικών CeBr3 Scintillator απάντησης παραγωγών γρήγορο

3% χρονικό χαμηλό υπόβαθρο αποσύνθεσης κρυστάλλου 20ns ενεργειακού ψηφίσματος LaBr3 Scintillator

Κρύσταλλος σπινθηρισμού

Υπολογισμός ακτινοβολίας ανίχνευσης γάμμα κρυστάλλου σπινθηροβολήματος βιομηχανίας πετρελαίου LaBr3

Άριστος ενεργειακού ψηφίσματος LaBr3 σπινθηροβολήματος χρόνος αποσύνθεσης κρυστάλλου γρήγορος

Ανιχνευτής γάμμα Κρύσταλλος σπινθηρισμού ιωδιούχου καισίου

Αφήστε μήνυμα

Πολιτική Απορρήτου | Κίνα καλός ποιότητας Κρύσταλλο Σπινθηριστή προμηθευτής. © 2022 - 2023 kinheng.com. All Rights Reserved.