Κίνα Υπόστρωμα ενιαίου κρυστάλλου

CaF2 άριστη απόδοση IR υποστρωμάτων ενιαίου κρυστάλλου υποστρωμάτων

Πυκνότητα (g/cm3):3.18

Σημείο λειωμένων μετάλλων (℃):1360

Δείκτης της διάθλασης:1.39908 σε 5mm
Νέα υψηλή θερμική σταθερότητα υποστρωμάτων κρυστάλλου Piezoelecrictric υλική LGS

Όνομα προϊόντων:Υπόστρωμα LGS

Πλήρες όνομα:Υπόστρωμα ενιαίου κρυστάλλου Langasite LGS

χημικός τύπος:La3Ga5SiO14
MgAl2O4 σπινέλιου κρύσταλλο αργιλικών αλάτων μαγνήσιου υποστρωμάτων ενιαίου κρυστάλλου

Κρυσταλλική Δομή:Κυβικός

Προσανατολισμός κρυστάλλου:<100>, <110>, <111>

Μέγεθος:dia2 «x0.5mm, 10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm
Μη-κρυστάλλινη Perovskite μέθοδος αύξησης Czochralski υποστρωμάτων κρυστάλλου ΤΕΛΕΥΤΑΙΑ

Μέθοδος αύξησης:Τσοχράλσκι

Όνομα προϊόντων:ΤΕΛΕΥΤΑΙΟ υπόστρωμα

Πλήρες όνομα:Υπόστρωμα ενιαίου κρυστάλλου τανταλικών αλάτων αλουμινίου lanthanum-στροντίου
KTaO3 Perovskite υποστρωμάτων ενιαίου κρυστάλλου και δομή Pyrochlore

Πλήρες όνομα:Υποστρώματα κρυστάλλου τανταλικών αλάτων καλίου

Όνομα προϊόντων:KTaO3 υπόστρωμα

χημικός τύπος:KTaO3
Άριστη απόδοση IR υποστρωμάτων κρυστάλλου LiF για τα παράθυρα και το φακό

Πυκνότητα (g/cm3):2.64

Σημείο τήξης (℃):845

θερμική αγωγιμότητα:11.3 wm-1K-1 σε 314K
Υψηλής θερμοκρασίας υπεραγωγικό υπόστρωμα υποστρωμάτων STO ενιαίου κρυστάλλου

Πλήρες όνομα:Titanate στροντίου υπόστρωμα ενιαίου κρυστάλλου

Όνομα προϊόντων:Υπόστρωμα STO

Κώδικας HS:3818009000
2» Χ 2» Χ 0.5mm MgO υποστρωμάτων ενιαίου κρυστάλλου υπόστρωμα

Μέθοδος αύξησης:Ειδική τήξη τόξων

Κρυσταλλική Δομή:Κυβικός

Πυκνότητα (g/cm3):3.58
Χαμηλό υπόστρωμα υποστρωμάτων CaF2 ενιαίου κρυστάλλου Δείκτη διάθλασης

Όνομα προϊόντων:CaF2 υπόστρωμα

χημικός τύπος:CaF2

Κρυσταλλική Δομή:Κυβικός
υψηλής θερμοκρασίας υπεραγωγική λεπτή ταινία υποστρωμάτων 0.5mm 1.0mm YAP

Όνομα προϊόντων:Υπόστρωμα YAP

Πλήρες όνομα:Yttrium Orthoaluminate ή yttrium perovskite αργιλίου

χημικός τύπος:YAlO3
Άριστο υπόστρωμα υποστρωμάτων YAP ενιαίου κρυστάλλου οπτικών και σωματικών ιδιοτήτων

Σύστημα:Μονοκλινική

Σταθερά δικτυωτού πλέγματος:a=5.176 Å, b=5.307 Å, c=7.355 Å

Πυκνότητα (g/cm3):4.88
Καλό υπόστρωμα 3.18g/cm3 κρυστάλλου οπτικής MgF2 μετάδοσης UV

Πυκνότητα (g/cm3):3.18

Σημείο τήξης (℃):1255

θερμική αγωγιμότητα:0,3 wm-1K-1 σε 300K

Page 1 of 3|< << 1 2 3 >> >|

Υπόστρωμα ενιαίου κρυστάλλου

Άριστο σιδηροηλεκτρικό υπόστρωμα κρυστάλλου υποστρωμάτων DyScO3 ταινιών

Υψηλή θερμική σταθερότητα υποστρωμάτων ενιαίου κρυστάλλου υποστρωμάτων LGS LGS

M4 υπόστρωμα κρυστάλλου ταινιών υποστρωμάτων ενιαίου κρυστάλλου LiAlO2

Κίνα Υπόστρωμα ενιαίου κρυστάλλου

CaF2 άριστη απόδοση IR υποστρωμάτων ενιαίου κρυστάλλου υποστρωμάτων

Νέα υψηλή θερμική σταθερότητα υποστρωμάτων κρυστάλλου Piezoelecrictric υλική LGS

MgAl2O4 σπινέλιου κρύσταλλο αργιλικών αλάτων μαγνήσιου υποστρωμάτων ενιαίου κρυστάλλου

Μη-κρυστάλλινη Perovskite μέθοδος αύξησης Czochralski υποστρωμάτων κρυστάλλου ΤΕΛΕΥΤΑΙΑ

KTaO3 Perovskite υποστρωμάτων ενιαίου κρυστάλλου και δομή Pyrochlore

Άριστη απόδοση IR υποστρωμάτων κρυστάλλου LiF για τα παράθυρα και το φακό

Υψηλής θερμοκρασίας υπεραγωγικό υπόστρωμα υποστρωμάτων STO ενιαίου κρυστάλλου

2» Χ 2» Χ 0.5mm MgO υποστρωμάτων ενιαίου κρυστάλλου υπόστρωμα

Χαμηλό υπόστρωμα υποστρωμάτων CaF2 ενιαίου κρυστάλλου Δείκτη διάθλασης

υψηλής θερμοκρασίας υπεραγωγική λεπτή ταινία υποστρωμάτων 0.5mm 1.0mm YAP

Άριστο υπόστρωμα υποστρωμάτων YAP ενιαίου κρυστάλλου οπτικών και σωματικών ιδιοτήτων

Καλό υπόστρωμα 3.18g/cm3 κρυστάλλου οπτικής MgF2 μετάδοσης UV

Κρύσταλλο Σπινθηριστή

Βρωμίδιο Scintillator CeBr3 δημήτριου ελέγχου περιβάλλοντος ανάλυσης ενεργειακού φάσματος

Υψηλό ελαφρύ κρύσταλλο υγροσκοπικών CeBr3 Scintillator απάντησης παραγωγών γρήγορο

3% χρονικό χαμηλό υπόβαθρο αποσύνθεσης κρυστάλλου 20ns ενεργειακού ψηφίσματος LaBr3 Scintillator

Κρύσταλλος σπινθηρισμού

Υπολογισμός ακτινοβολίας ανίχνευσης γάμμα κρυστάλλου σπινθηροβολήματος βιομηχανίας πετρελαίου LaBr3

Άριστος ενεργειακού ψηφίσματος LaBr3 σπινθηροβολήματος χρόνος αποσύνθεσης κρυστάλλου γρήγορος

Ανιχνευτής γάμμα Κρύσταλλος σπινθηρισμού ιωδιούχου καισίου